Epitaksja dwustronna: nowe podejście do integracji urządzeń półprzewodnikowych

Beneficjent: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Główny wykonawca: Henryk Turski

Nabór: 1/2024

Wysokość dofinansowania: 3 999 900,00 zł